VRT Comparison Table For Semiconductors From A To Z Edition 2010/2011

werlo-satlo-voltMMinMMUMultiplNFNixNoise progrPSPWMraRadHUsed abbreviations:AAntenna and wideband amplifiers (CATV)AFCAutomatic frequency controlAFTAutomatic fine tuningAGCAutomatic gain controlALCAutomatic level controlAMRF application (AM range)APCAutomatic phase controlARITraffic information system (Germany)ArrayArrangement of numerous elements in asingle layback amplifierBDC forward current gainBackwardBackward diodeBand-SRF band switchingbidirektionalBidirectional diodeBrBridge rectifierBtxInteractive video textCameraVideo cameraCATVBroad band cable amplifierCBCB-radioCDCD-playerChopperChoppercontr. av.Controlled avalancheCPUCentral processing unitCRTCathode ray tubeCTVColor TVDemDemodulatorDiskrDiscriminatorDMADirect memory access controllerDualDual transistors for differential amplifiersor dual diodeEOutput stagesEqualEqualizerESDElectrostatic dischargeFBRemote controlFEDField effect diodeFIFO-ICFirst-in First-out memoryFLTFluorescent tubesFMRF application (FM range)FREDFETV-MOS-FET with fast parasitic diodeF/V-Converter Converter frequency to voltagegepMatched typesGIRectifier (general)Gunn-DiGunn diodeHATV horizontal deflection stagesHFRF application (general)hi-betaHigh current gainhi-currentFor high output currenthi-defHigh definitionhi-powerHigh output powerhi-precHigh precisionhi-relHigh reliabilityhi-resHigh resolutionhi-speedHigh speedhi-voltFor high voltagesHoriz.Horizontalh-ohmFor high impedance demodulator circuitsIbBreak-over currentIgtGate trigger currentIhHolding currentImpatt-DiImpatt diodeIndic.IndicatorIRInfra-redIpPeak point currentIPDIntelligent power deviceIsSwitching currentIsoInsulatedItsmSurge currentIvValley point currentreRecorderRegSSchottkyserSHFSMDSMPS, iTuningTunnel-DiTVUARTUbUcc, UsUHFUniUSUSARTVVAVCVertik.VHFVidXIHigh voltage rectifierPower stagesLiquid crystal displayLight-emitting diodeLast-in first-out memoryLimiterLow drive power requiredLow voltage dropLogic Level (Uth 0,8.2V)Low power consumptionLow collector - emitter saturation voltageFor low voltagesMixer stagesMiniaturizedMemory management unitFrequency multiplierAF applicationsNixie driver (digital display tubes)Noise suppressionFor low impedance demodulator circuitsOscillator stagesSurface acoustic wave filterOperational amplifierOn-screen displayParallelPeak envelope powerPicture-in-picturePhase-locked loopRF-output power (transmitter transistor)ProgrammablePower supplyPulse-width modulationLow noiseDesigned for space aviation use (radiationhardened)AGC stagesTape and cassette recorderRegulatorSwitching stagesSchottky diodeSerialRF applications ( 5 GHz)Surface mounted deviceSwitch-mode power suppliesFast switching stagesSingle sideband operationRectifier stacksSymmetrical typesSuppressor diodeReset-timeThyristor bridge configurationArrangement of numerous thyristors in asingle caseTV sound channelDriver stages4-layer trigger diode, asymmetricalRF tuning diodeTunnel diodeTelevision applicationsUniversal asynchronousreceiver/transmitterBreak over voltageSupply voltageRF applications ( 250 MHz)General purpose typesUltrasonicsUniversal synchronous/asynchronous receiver/transmitterPre/input stagesTV vertical deflection typesVideo recorderVerticalRF applications (approx. 100.250MHz)Video output stagesenglishColumn 3 (“Short description”)Short data or description of function of each type.

s)(Ta . )(Tc . )NTSC color correctionVideo text, teletextConverter voltage to frequencyX-ray protectionIF stagesIntegrated trigger amplification (Darlistor)Short-circuit current gain at 1 kHzr.m.s. valuePeak valueAmbient temperature if not 25 CCase reference temperature if not 25 C(power types) [Typ]:Identical with [type],however: [data,case, Pin-Code, etc.] See under-/.VOnly UCE0 known; otherwisealways UCB0 or UCB0/UCE0 (transistors).nsReverse recovery time (diodes)./-nsTurn-on time (transistors)./.nsTurn-on/turn-off time (transistors).μsCircuit commutated turn-off timetq (thyristor). DiacWith integrated diacμCompMicrocomputer [Typ]Similar to the named type(description see there)Column 4 (“Fig.”)Related drawing number (figure) and pin assignment(appended letter) with discrete semiconductors. In the pinassignment table, the associated column (“Transistor”, “FET”,“Thyristor”, “Diode”, “Z-IC”) must be observed. With ICs justa schematic drawing is provided without pin assignment. Alldrawings are situated at the end of the table. The degreesmark ( ) means: case with additional heat sirik.from this manufacturer and has not been verified by the author.In order not to exceed the capacity of this table, the detailedECA data bases online or on DVD have partly had to bereferred to. The incredible variety of the components andcomparison possibilities cannot be fully shown in this scopewith digital logic circuits, voltage stabilizers, Z-diodes, thyristorsand operational amplifiers.Footnote list on the comparison typewith comparison types in brackets ( ):1 with integrated damper diode2 damper diode between emitter and collectornecessary externally3 not insulated case4 different case - possibly mechanicaladaption necessary5 the differing pin assignment possiblyrequires different assembly6 alternate type is a little larger or with a differentpin-spacing7 alternate type with lower maximum ratings8 lower transition frequency (fT)9 also with other gate trigger current10 alternate IC is not pin-compatible or with adifferent pin-spacing11 also with other gate trigger current and thealternate type is with different case13 lower forward current gain (B, hFE, ß, hfe)15 No. 1 516 equivalent type with limited temperature range17 higher saturation voltage (UCESat)18Column 5 (“Manufacturer”)The names of the manufacturers are abbreviated to savespace. The complete name of each manufacturer is listedalphabetically on page XXII. We cannot vouch forcompleteness and availability.If a number of manufacturers are named for a single type,data is given of only one, due to the data of a single typediffering from one manufacturer to another slightly underunlike measurement conditions. Column 6 (“Comparison types”)With the details on the alternate types, just a selection of thetypes “closely related” to the original type is given. They arepreferably types which are not too difficult to obtain.In practice there are usually many more alternate typesapplicable than there is room for in this table. Thecharacterizing mark “ ” after the last alternate type is toattract particular attention.The "parametric search" in the online data base forsemiconductor at www.ecadata.de, offering various abilitiesto find replacement types too. Furthermore you will be ableto compare directly the parameters of the different types.Please read page XXIV for the special offer for vrt bookusers.The “Selector tables” in the ECA data bases under http://www.ecadata.de, on DVD or as books conceal unsuspectedfurthering possibilities. These ECA data sources on DVD orat www.ecadata.de should by all means be consulted for anexact type comparison in critical cases.If not otherwise mentioned in footnotes, the given alternatetypes have the same or better electrical data and can beapplied without mechanical problems.The same pin assignment has only been given attention toin the case of power types and ICs, as with small componentsthe connections can be easily exchanged to fit. A check onany differing assignments is very much advised, and withthis table is easy to carry out.When a comparison type is followed by a maker’s name(abbreviated) in square brackets, this means the data stemssuitable resistor required externallyMany further comparison possibilitiesColumn 7 (“ECA Infos”)Further informations about this type like particularized data(data), original data sheets (pdf) or pinout (pinout) you will findin the ECA online data base for semiconductors athttp://www.ecadata.de.Please visit also our main page site http://www.eca.de foradditional informations about our online data base.In all critical application cases the relevant parameters of thecomparison types are to be compared with those of the originalin order to prevent any “surprises”!Despite very careful research, errors excepted. There is noliability for failure in practice.XII

Indications importantes pour I’utilisationLe tableau suivant énumére par ordre alphabétique les principaux composants de semi-conducteurs, qu’il s’agisse de transistors, dediodes, de thyristors, de circuits intégrés, etc. Chaque composant est suivi des principales caractéristiques abrégées le concernant,et, dans la mesure du possible et lorsque cela présente un intérêt, de ses équivalents appropriés. Ce tableau est complété et remodeléà chaque nouvelle édition. Les composants vieillis ne sont jamais effacés. Les tableaux plus anciens peuvent ainsi être mis horsd’usage (puisque les pertes d’informations sont exclues), ce qui évite de rerdre un temps précieux en effectuant des recherches dansplusieurs tableaux.Colonne 2 («Genre»)Courte définition du composant de semi-conducteur.Abréviations utilisées:A/D-ICconvertisseur analogique-numériqueBiMOS-ICcircuit intégré (bipolaire, technologie MOS)CCD-ICcircuit intégré à accouplement de chargeCMOS-Logiccircuit logique numérique (technologie CMOS)C-Didiode à capacité variableDiacdiode de déclenchement à 3 couches,symétriqueDIG-ICcircuit intégré numériqueDOCdouble optocoupleurDPIdouble interrupteur optiquedRAM-ICmémoire à lecture-écriture, dynamiqueD/A-ICconvertisseur numérique-analogiqueEAROM-ICmémoire, non volatile, altérableECL-Logiccircuit de logique couplé à I’émetteurEEPROM-ICmémoire, non volatile, effaçable parélectricitéEPROM-ICmémoire, non volatile effaçable par U.V.ERémetteurs récepteursFPLA-ICPAL, réseau logique programmable parI’utilisateurFIB IR LDInfrared laser diode for fibre opticsFIB IR LD MA Infrared laser diode with monitor output forfibre opticsFIB IR LD MD Infrared laser diode with monitor diode forFibre opticsFIB IR LD MO Infrared laser diode with modulator for fibreopticsFIB IR LD NT Infrared laser diode with NTC Resistor for fibreopticsF-Thythyristor de fréquenceGaAsarséniure de galliumGe-Didiode au germaniumGe-Ntransistor NPN au germaniumGe-Ptransistor PNP au germaniumGTO-Thythyristor débranchable (gate turn off)Hybrid-ICcircuit intégré (technologie hybride)ICcircuit intégréIR LDInfrared laser diodeIR LD MAInfrared laser diode with monitor outputIR LD MDInfrared laser diode with monitor diodeIREDInfrared light emitting diodeIRED MDLight emitting diodeI/O-ICcircuit intégré entrée-sortie pour microordinateurKOP-ICcomparateur (amplificateur opérationnel)LDLaser diodeLDRPhoto ResistorLEDLight emitting diodeLED/IREDLight emitting diode and infrared light-emittingdiodeLIN-ICcircuit intégré linéaireMOS-.*avec diode de protection grille intégréeMOS-FET-dFET à oxyde métallique, type de déplétionMOS-FET-eFET à oxyde métallique, CPAL-ICPCPDPD ARRAYPIPIN-DiPIN PDPMOS-ICPROM-ICPUTPSPTPTRPYRODETP-FETQOCRCLEDRED LDRED LD enrichissementcircuit intégré (technologie MOS)transistor bipolaire iso-grillepaire d'émetteurs récepteurscircuit intégré MOS à canal Ncanal N transistor à effet de champoptocoupleurcomposants opto-électroniquesamplificateurs d’opérationCI PAL réseau logique programmablePhoto ElementPhoto Diode (for OPICs with IntegratedLinear Amplifier)Photo Diode arrayinterrupteur optiquediode PINPIN Photodiode (for OPICs with IntegratedLinear Amplifier)circuit intégré MOS à canal PROM programmable à I’électricitétransistor uni-jonction (UJT) programmablephotocapteur d'réflexionPhoto TransistorPhoto TriacPyrodetector (Infrared Sensor)canal P transistor à effet de champquadruple optocoupleurResonant cavity LEDRed laser diodeRed laser diode with monitoring diodediode de tension de référence (diode deZener haute constance)mémoire des constantesinterrupteur asymétrique au siliciuminterrupteur bilatéral au siliciumdiode au séléniumsilicium redresseur à pontdiode au siliciumtransistor silicium NPNtransistor Darlington de silicium NPNtransistor silicium PNPtransistor Darlington de silicium PNPdiode rég. de tension au silicium(fonct. en sens direct)mémoire à lecture - écriture, statiqueinterrupteur unilatéral au siliciumP- N-gate-thyristorrésistance dépendant de températurethyristorthyristor à ponttriple optocoupleurthyristor bi-directionneldiode de déclenchement à 4 couches,asymétriquecircuit intégré linéaire (technologie TTL)circuit logique numérique(transistor - logique de trans.)transistor unijonctionrésistance dépendant de tension (VDR)françaisColonne 1 («Type»)Les références des composants sont identiques à celles se trouvant dans la documentation du fabricant. Elles sont parfois indiquéesdifféremment ou en abrégé sur les composants mêmes.Lorsque plusieurs composants du même type ont la même référence («BF 232» par exemple), la désignation abrégée du fabricantentre crochets «[.]» suit. Les repéres de sélection indiqués par les lettres ou les chiffres n’ont étémentionnés que lorsque cela s’est avéré important dans la pratique ou pour les équivalents.

Z-DIZ-IC. Di. R50Hz-ThyμC-ICμP-ICdiode de Zener (fonctionnement en sensd’état bloqué)régulateur de tension, stabilisateur detensionavec diode d’amortissement intégréeavec résistances intégréethyristor pour application secteurmicro-ordinateur sur une pastille (MOS)microprocesseur, CPU kV-GILLCDLEDLIFO-ICfrançaisColonne 3 («Description succ.»)Caractéristiques abrégées et descriptif des fonctions descomposants.Abréviations utilisées:Aamplificateurs d’antenne et à large bandeAFCcorrection automatique de fréquenceAFTaccord précis automatiqueAGCréglage automatique de gainALCmodulation automatiqueAMapplication HF (gamme AM)APCdéphasage automatiqueARIsystème d’information autoradio (RFA)Arraydisposition de plusieurs éléments dansun lificateur de lecture/enregistrementBamplification de courant continuBackwarddiode unitunnelBand-Sdiode de commutation HFbidirektionaltête bècheBrredresseur à pontBtxvidéotexCameracaméra vidéoCATVamplificateur-câble à large bandeCBradio CBCDlecteur de disques compactsChopperchopper de mesurecontr. av.avalanche contrôléeCPUunité centrale de traitementCRTterminal de visualisation à écrancathodiqueCTVapplication télévision en rôleur mémoire accès directDualtrans. doubles pour amplific. de différenceou duo-diodeEétages finauxEqualcorrecteurESDdécharge électrostatiqueFBcommande à distanceFEDdiode à effet de champFIFO-ICCI mémoire FIFO (premier entré, premiersorti)FLTtubes afficheursFMapplication HF (gamme OUC)FREDFETV-MOS-FET avec diode inverse rapideF/V-Converter convertisseur fréquence - tensiongeptypes appariésGIredresseur (en général)Gunn-Didiode GunnHAétages à déflection horizontale télévisionHFapplication HF (en général)hi-betaamplification de courant élevéehi-currentpour courant de sortie élevéehi-defhaute définitionhi-powerpuissance de sortie élevéehi-prechaute précisionhi-relfiabilité accruehi-reshaute résolutionhi-speedrapidehi-voltpour tensions Llo-powerlo-satlo-voltMMinMMUMultiplNFNixNoise , iTuningXIVdémodulateur à haute impédancecourant de rupturecourant d’amorçagecourant de maintiendiode Impattindicationcourant de pointedevice de puissance intelligentinfrarougecourant de commandeisolécourant de choccourant de bas niveauredresseur très haute tensionétages de puissanceindication à cristaux liquidesvoyant lumineux à diodeCI mémoire LIFO (dernier entré, premiersorti)limiteurpour faibles drive de puissancefaible perte de tensionLogic Level (Uth 0,8.2V)faible consommation de puissancebasse tension de saturationcollecteur - émetteurpour faibles tensionsétages mélangeursmodéles type miniatureunité de gestion mémoriemultiplicateur de fréquenceapplication AFdriver type nixie (tubes afficheurs)suppression de parasitesdémodulateur de basse impédanceétages d’oscillateurfiltre de surface onde acousticamplificateur opérationnelaffichage de film écranparallèlepuissance de sortie de pointeimage dans imageboucle à verrouillage de phasepuissance de sortie HF (transistorsémetteurs)programmablealimentation électriquemodulation de largeur d’impulsionà faible bruitétudié pour les applications aérospatialesétages de réglage (réglage automatiquede gain/AGC)magnétophones et appareils à cassettesrégulateurétages de commutationdiode Schottkysérielapplications HF ( 5 GHz)pour montage en surfacealimentation à découpageétages de commutation rapideopération à bande latérale uniquemontages à diodestypes symétriquesdiode Zener fortes surchargestemps d’effacementthyristor à pontmodule thyristor (plusieurs éléments dansun boîtier)canal son TVétages driverdiode de déclenchement à 4 couches,asymétriquediode de réglage HF

ZVß(eff)(ss)(Ta . )(Tc . ) [Typ]: -/.V.ns./-ns./.ns,.μs. DiacμComp [Typ]diode à effet de tunnelapplications de télévisionemetteur/récepteur universel asynchronetension de retournementtension d’alimentationapplication HF ( 250 MHz)types universelsult

34-10 vrt 1 A-Z comparison table book 2010/2011 new Version 29,00 35-10 vrt 2 0-µ comparison table book 2010/2011 new Version 21,00 14 mem data book memories 17,60 32 ddv 1 data book diodes A-ZZY 30,17 33 ddv 2 data book diodes .1N.1S.µ 25,03 101 tdv 1 data book transistor A-BUZ 30,17